廣東常見zeta電位及納米粒度儀技術(shù)指導(dǎo)
技術(shù)優(yōu)勢(shì)1、PMT高靈敏度檢測(cè)器;2、可搭配不同功率光源;3、雙列直插式電極和樣品池,可反復(fù)使用成千上萬次;4、鈀電極;5、精確度高,接近樣品真實(shí)值;6、復(fù)合型算法:高斯(Gaussion)單峰算法與Nicomp多峰算法自由切換;相位分析法(PALS)和頻譜分析法(FALS)自由切換;7、快速檢測(cè),可以追溯歷史數(shù)據(jù);8、結(jié)果數(shù)據(jù)以多種形式和格式呈現(xiàn);9、符合USP,CP等個(gè)多藥典要求;10、無需校準(zhǔn);11、模塊化設(shè)計(jì)便于維護(hù)和升級(jí);(1)可自動(dòng)稀釋模塊(選配);(2)搭配多角度檢測(cè)器(選配);(3)自動(dòng)進(jìn)樣系統(tǒng)(選配);Nicomp 380 系列納米激光粒度儀 專為復(fù)雜體系提供高精度粒度解析方案。廣東常見zeta電位及納米粒度儀技術(shù)指導(dǎo)
Nicomp多峰分布概念:基線調(diào)整自動(dòng)補(bǔ)償功能和高分辨率多峰算法是Nicomp380系列儀器的兩個(gè)主要特點(diǎn),Nicomp創(chuàng)始人DaveNicole很早就認(rèn)識(shí)到傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)光散射理論只給出高斯模式的粒度分布,這和實(shí)踐生產(chǎn)生活中不相符,因?yàn)楝F(xiàn)實(shí)中很多樣本是多分散體系,非單分散體系,而且高斯分布靈敏性不足,分辨率不高,這些特點(diǎn)都制約了納米粒度儀在實(shí)際生產(chǎn)生活中的使用。其開創(chuàng)的Nicomp多峰分布理論,提高了動(dòng)態(tài)光散射理論的分辨率和靈敏性。Nicomp多峰分布優(yōu)勢(shì)Nicomp系列儀器均可以自由在Gaussian分布模式和Nicomp多峰分布模式中切換。其不只可以給出傳統(tǒng)的DLS系統(tǒng)的結(jié)果,更可以通過Nicomp多峰分布模式體現(xiàn)樣品的真實(shí)情況。依托于Nicomp系列儀器一系列優(yōu)異的算法和高靈敏性的硬件設(shè)計(jì),Nicomp納米激光粒度儀可以有效區(qū)分1:2的多分散體系。zeta電位及納米粒度儀售后服務(wù)技術(shù)優(yōu)勢(shì):3、雙列直插式電極和樣品池,可反復(fù)使用成千上萬次。
Nicomp多峰分布概念:基線調(diào)整自動(dòng)補(bǔ)償功能和高分辨率多峰算法是Nicomp380系列儀器的兩個(gè)主要特點(diǎn),Nicomp創(chuàng)始人DaveNicole很早就認(rèn)識(shí)到傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)光散射理論只給出高斯模式的粒度分布,這和實(shí)踐生產(chǎn)生活中不相符,因?yàn)楝F(xiàn)實(shí)中很多樣本是多分散體系,非單分散體系,而且高斯分布靈敏性不足,分辨率不高,這些特點(diǎn)都制約了納米粒度儀在實(shí)際生產(chǎn)生活中的使用。其開創(chuàng)的Nicomp多峰分布理論,提高了動(dòng)態(tài)光散射理論的分辨率和靈敏性。Nicomp多峰分布優(yōu)勢(shì)Nicomp系列儀器均可以自由在Gaussian分布模式和Nicomp多峰分布模式中切換。其不只可以給出傳統(tǒng)的DLS系統(tǒng)的結(jié)果,更可以通過Nicomp多峰分布模式體現(xiàn)樣品的真實(shí)情況。依托于Nicomp系列儀器一系列優(yōu)異的算法和高靈敏性的硬件設(shè)計(jì),Nicomp納米激光粒度儀可以有效區(qū)分1:2的多分散體系。
Zeta電勢(shì)電位原理1.什么是ZETA電勢(shì)電位:Zeta電位(Zetapotential)是指剪切面(ShearPlane)的電位,又叫電動(dòng)電位或電動(dòng)電勢(shì)(ζ-電位或ζ-電勢(shì)),是表征膠體分散系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)。2.STERN雙電子層:膠核表面擁有一層離子,稱為電位離子,電位離子通過靜電作用,把溶液中電荷相反的離子吸引到膠核周圍,被吸引的離子稱為反離子,越靠近膠核表面的地方反離子越密集,相反,越遠(yuǎn)的地方反離子越稀疏,他們的電荷總量與電位離子相等并且符號(hào)相反。因此,整個(gè)膠團(tuán)是處于電中性狀態(tài),而膠核表面電勢(shì)是醉高的,根據(jù)定義Zeta電位即為膠核表面電勢(shì)。3.DLS散射系統(tǒng)如何測(cè)ZETA電位:目前測(cè)量ZETA電位的方法主要有電泳法、電滲法、流動(dòng)電位法以及超聲波法。NicompZ3000采用的是主流的電泳法測(cè)試ZETA。技術(shù)優(yōu)勢(shì):11、模塊化設(shè)計(jì)便于維護(hù)和升級(jí); (1)可自動(dòng)稀釋模塊(選配)。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì):一、模塊化設(shè)計(jì):Nicomp380納米激光粒度儀是全球率先在應(yīng)用動(dòng)態(tài)光散射技術(shù)上的基礎(chǔ)上加入多模塊方法的先進(jìn)粒度儀。隨著模塊的升級(jí)和增加,Nicomp380的功能體系越來越強(qiáng)大,可以用于各種復(fù)雜體系的檢測(cè)分析。二、自動(dòng)稀釋模塊(選配):自動(dòng)稀釋模塊消除了人工稀釋高濃度樣品帶來的誤差,且不需要人工不斷試錯(cuò)來獲得合適的測(cè)試濃度,這縮短了測(cè)試者寶貴時(shí)間,且無需培訓(xùn),測(cè)試結(jié)果重現(xiàn)性好,誤差率<1%。 三、380/HPLD大功率激光器:美國(guó)PSS粒度儀公司在開發(fā)儀器的過程中,考慮到在各種極端實(shí)驗(yàn)測(cè)試條件中不同的需求,對(duì)不同使用條件和環(huán)境配置了不同功率的激光發(fā)生器。大功率的激光器可以對(duì)極小的粒子也能搜集到足夠的散射信號(hào),使得儀器能夠得到極小粒子的粒徑分布。同樣,大功率激光器在測(cè)試大粒子的時(shí)候同樣也很有幫助,比如在檢測(cè)右旋糖酐大分子時(shí),折射率的特性會(huì)引起光散射強(qiáng)度不足。因?yàn)榇蠊β始す馄鞯奶匦?,?huì)彌補(bǔ)散射光強(qiáng)的不足和衰減,測(cè)試極其微小的微乳、表面活性劑膠束、蛋白質(zhì)以及其他大分子不再是一個(gè)苛刻的難題。即使沒有色譜分離,Nicomp380納米粒徑分析儀甚至也可以輕易估算出生物高分子的聚集程度。技術(shù)優(yōu)勢(shì):5、精確度高,接近樣品真實(shí)值。廣東如何zeta電位及納米粒度儀銷售電話
即使沒有色譜分離,Nicomp 380納米粒徑分析儀甚至也可以輕易估算出生物高分子的聚集程度。廣東常見zeta電位及納米粒度儀技術(shù)指導(dǎo)
Zeta電勢(shì)電位原理1.什么是ZETA電勢(shì)電位:Zeta電位(Zetapotential)是指剪切面(ShearPlane)的電位,又叫電動(dòng)電位或電動(dòng)電勢(shì)(ζ-電位或ζ-電勢(shì)),是表征膠體分散系穩(wěn)定性的重要指標(biāo)。2.STERN雙電子層:膠核表面擁有一層離子,稱為電位離子,電位離子通過靜電作用,把溶液中電荷相反的離子吸引到膠核周圍,被吸引的離子稱為反離子,越靠近膠核表面的地方反離子越密集,相反,越遠(yuǎn)的地方反離子越稀疏,他們的電荷總量與電位離子相等并且符號(hào)相反。因此,整個(gè)膠團(tuán)是處于電中性狀態(tài),而膠核表面電勢(shì)是醉高的,根據(jù)定義Zeta電位即為膠核表面電勢(shì)。3.DLS散射系統(tǒng)如何測(cè)ZETA電位:目前測(cè)量ZETA電位的方法主要有電泳法、電滲法、流動(dòng)電位法以及超聲波法。NicompZ3000采用的是主流的電泳法測(cè)試ZETA。廣東常見zeta電位及納米粒度儀技術(shù)指導(dǎo)
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綜上所述,集裝桶使用方便、經(jīng)濟(jì)耐用,隨著國(guó)際化發(fā)展,集裝桶逐漸成為液體包裝的主流產(chǎn)品??墒⒀bⅡ、Ⅲ類危險(xiǎn)品,盛裝Ⅱ類危險(xiǎn)品的液體密度比較大為1.5g/cm3,盛裝Ⅲ類危險(xiǎn)品的液體密度為1.8g/cm3 。
以下是一些選購(gòu)紅木家具的要點(diǎn):了解紅木家具的木材種類和特點(diǎn),紅木家具的木材種類很多,包括紫檀、花梨木、酸枝木、雞翅木等。不同種類的木材具有不同的特點(diǎn)和用途。例如,紫檀是一種質(zhì)地堅(jiān)硬、紋理美觀的木材,適 。
要了解HIFI 有線耳機(jī)的杰出之處,我們首先需要了解其背后的先進(jìn)技術(shù)。HIFIHigh Fidelity)即高保真音質(zhì),意味著這種耳機(jī)能夠還原音頻信號(hào)的細(xì)節(jié),使聽者能夠感受到更真實(shí)、更立體、更精確的音 。
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真空機(jī)發(fā)展的趨勢(shì):1.高真空技術(shù)高真空技術(shù)是指將容器內(nèi)部的壓力降低到非常低的程度,通常小于10^-6Pa。高真空技術(shù)在半導(dǎo)體、光學(xué)、航空航天等領(lǐng)域都有普遍的應(yīng)用。隨著科技的不斷進(jìn)步,高真空技術(shù)的應(yīng)用領(lǐng) 。
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