鄭州電池濕法

電池濕法設(shè)備Perc工藝，濕法制絨設(shè)備功能是去除切割損傷層和表面臟污2.使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率3.增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也響應(yīng)增加。設(shè)備優(yōu)勢?采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu)，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離。鄭州電池濕法

電池濕法設(shè)備Topcon工藝，拋清洗設(shè)備，功能是去除背面BSG和拋光處理。l閉環(huán)運(yùn)動(dòng)控制系統(tǒng)，保證輸送機(jī)構(gòu)運(yùn)動(dòng)平穩(wěn)性。l拋光槽：上表面采用水膜保護(hù)及輥輪帶液方式，完整的保護(hù)正面的同時(shí)，對背面作拋光處理。l烘干槽：采用高壓風(fēng)機(jī)+高效過濾器的方式，l鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。l進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。大產(chǎn)能濕法設(shè)備價(jià)格電池濕法背拋清洗設(shè)備（Topcon工藝）鏈?zhǔn)饺SG+槽式堿拋設(shè)備，設(shè)備產(chǎn)能大，穩(wěn)定性好。

電池濕法設(shè)備是一種用于電池制造的設(shè)備，主要用于電池的電解液制備和電極涂覆等工序。使用電池濕法設(shè)備需要注意以下幾點(diǎn)：1.設(shè)備安裝：首先需要將設(shè)備安裝在干燥、通風(fēng)、無塵的環(huán)境中，確保設(shè)備的穩(wěn)定性和安全性。2.操作流程：根據(jù)設(shè)備的操作手冊，按照操作流程進(jìn)行操作，確保每個(gè)步驟的正確性和順序。3.原材料準(zhǔn)備：根據(jù)設(shè)備的要求，準(zhǔn)備好所需的原材料，包括電解液、電極材料等。4.設(shè)備調(diào)試：在使用設(shè)備前，需要進(jìn)行設(shè)備的調(diào)試，確保設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和參數(shù)的準(zhǔn)確性。5.操作注意事項(xiàng)：在操作過程中，需要注意安全，避免發(fā)生意外事故。同時(shí)，需要注意設(shè)備的維護(hù)和保養(yǎng)，定期清潔設(shè)備，檢查設(shè)備的運(yùn)轉(zhuǎn)情況。總之，使用電池濕法設(shè)備需要嚴(yán)格按照操作手冊進(jìn)行操作，確保設(shè)備的正常運(yùn)轉(zhuǎn)和產(chǎn)品的質(zhì)量。同時(shí)，需要注意安全和設(shè)備的維護(hù)保養(yǎng)，以延長設(shè)備的使用壽命。

電池濕法設(shè)備能改善電池表面微觀結(jié)構(gòu)，提升硅片表面潔凈度，降低表面污染，從而提升電池轉(zhuǎn)化效率。濕法設(shè)備：釜川生產(chǎn)制造的濕法設(shè)備能與多種主流工藝如PERC、TOPCON、HPBC等相匹配，在設(shè)備結(jié)構(gòu)、功能、產(chǎn)能和安全性等方面進(jìn)行了升級。其作用是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗制絨處理，從而提升電池的質(zhì)量和效率。 HJT裝備與材料：包含制絨清洗設(shè)備、PECVD設(shè)備、PVD設(shè)備、金屬化設(shè)備等。 電鍍銅設(shè)備：采用金屬銅完全代替銀漿作為柵線電極，具備低成本、高效率等優(yōu)勢。 光伏電池濕法制絨設(shè)備（HJT工藝）采用低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)的潔凈度和溫度均勻性。

電池濕法去PSG設(shè)備主要是對太陽能電池用硅片進(jìn)行清洗處理，雙六道大產(chǎn)能去PSG清洗設(shè)備，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性、產(chǎn)能、安全性升級。去PSG工藝首先將繞擴(kuò)層PSG進(jìn)行去除，利用背面PSG保護(hù)，在槽式清洗中完成去繞度工藝。為尋求更為穩(wěn)定的硅片傳輸，整機(jī)設(shè)計(jì)為雙五道/雙六道分布結(jié)構(gòu)，料臺歸正寬度可調(diào)，兼容更多規(guī)格的硅片，并為后續(xù)18X硅片更大產(chǎn)能改造提供了預(yù)留窗口；去PSG設(shè)備布局前后通透，給設(shè)備使用者提供了便捷性；上料臺搭配了大流量全新滴液泵；濕法刻蝕設(shè)備（Perc 工藝）可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。鄭州電池濕法

電池濕法設(shè)備的生產(chǎn)過程中，需要進(jìn)行多次調(diào)試和優(yōu)化，提高生產(chǎn)效率和電池質(zhì)量。鄭州電池濕法

光伏電池濕法設(shè)備XBC工藝背拋清洗設(shè)備，功能l硅片拋光處理。優(yōu)勢：進(jìn)口PLC控制，穩(wěn)步提升設(shè)備的產(chǎn)能。l慢提拉采用機(jī)械臂慢提方式，設(shè)備滿足干濕分離，匹配高效電池發(fā)展趨勢。l可配套無金屬化制程設(shè)備，提高設(shè)備潔凈度。l工藝槽采用經(jīng)典的內(nèi)外槽的循環(huán)模式，能快速有效的將新添加藥水以及添加劑充分?jǐn)嚢杈鶆颍蹆?nèi)控溫精度誤差＜±1℃。l去除切割損傷層和表面臟污l使用強(qiáng)堿腐蝕晶體硅表面形成規(guī)則金字塔狀絨面，增加硅片對太陽光的吸收，降低反射率l增加硅片表面積，進(jìn)而PN結(jié)面積也相應(yīng)增加。鄭州電池濕法

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